中国攻克半导体材料世界难题

中国科研团队近期在半导体材料领域取得重大突破成功攻克了高纯度碳化硅单晶衬底制备的世界级技术难题。通过自主研发的新型晶体生长工艺和缺陷控制技术实现了8英寸碳化硅衬底的稳定量产其晶体质量与国际先进水平相当但生产成本显著降低。该成果已通过多家头部芯片企业验证可广泛应用于新能源汽车光伏储能和5G通信等高端功率器件制造大幅缩短我国在第三代半导体产业链关键环节与国际领先的差距。目前相关技术已申请多项国内外发明专利并启动更大尺寸材料研发为自主可控的半导体产业体系提供核心支撑。